Научная работа студентов
ОНИРС СНО Молодежные лаборатории
2 учебная неделя
pk@nstu.ru, +7 (383) 319 59 99 — приёмная комиссия

Центр коллективного пользования «Материаловедение и нанотехнологии»

 


Кафедра полупроводниковых приборов и микроэлектроники
Факультет радиотехники и электроники

Оборудование

  • двухкамерная установка молекулярно-лучевой эпитаксии
    назначение: выращивание наноструктурированных монокристаллических слоев полупроводников и диэлектриков, получение структур «кремний на изоляторе» (КНИ)
  • атомно-силовой микроскоп атомарного разрешения
    назначение: исследование поверхности полупроводниковых и диэлектрических слоев
  • аналитический автоэмиссионный электронно-ионный (двухлучевой) растровый электронный микроскоп
    назначение: исследование наноструктур, нанопрепарирование, электронно-лучевая и ионно-лучевая литография, подготовка сверхтонких срезов
  • комплект электронного оборудования
    назначение: тестирование электрофизических параметров полупроводниковых материалов, наноструктур и приборов микро- и наноэлектроники
  • установка фотолитографии
    назначение: производство интегральных схем, микрорентгеновский анализ

Образовательная деятельность

  • участие в подготовке инженеров по специальностям «Микроэлектроника и твердотельная электроника», «Микросистемная техника», «Фотоника и оптоинформатика (Нанофотоника)»
  • лабораторные работы по дисциплинам «Физика твердого тела и полупроводников», «Опто- и квантовая электроника», «Основы микро- и нанотехнологии», «Методы исследования материалов и наноструктур», «Наноэлектроника», «Многоэлементные фотоприемные устройства и тепловизоры»
  • виртуальные лабораторные работы
  • повышение квалификации специалистов в области материаловедения и нанотехнологий







Научная и научно-производственная деятельность

  • создание базовой технологии получения гетероэпитаксиальных структур «полупроводник на изоляторе» в замкнутом технологическом цикле методом молекулярно-лучевой эпитаксии
  • разработка научных основ физики и технологии создания монолитных широкоформатных матриц фотоприемных устройств инфракрасного и субмиллиметрового диапазона на основе структур PbSnTe:In на Si с буферными наноразмерными слоями CaF2/BaF2
  • разработка оптических элементов для нанофотоники на основе структур «кремний на изоляторе» Si/CaF2/Si
  • создание тепловизионной аппаратуры высокого разрешения на основе неохлаждаемых матричных фотоприемных устройств (совместно с НПО «Восток»)

Коллективом центра получены патенты

  • «Емкостный датчик давления», патент № 2251087
  • «Способ измерения малых переменных тепловых потоков», патент № 2274839
  • «Интегральное многоэлементное фотоприемное устройство инфракрасного диапазона», патент № 2278446
  • «Инжекционное светоизлучающее устройство», патент № 2300855

Расположение: IV корпус НГТУ, к. 130
Контактная информация:
Руководитель центра – д.т.н., профессор кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники Александр Андреевич Величко
Тел. (383) 346-08-75
Эл. почта: velichko@amber.ref.nstu.ru

Размещение информации на странице:
Управление информационной политики  
Наверх
 

Обработка персональных данных

Мы используем сервис веб-аналитики Яндекс Метрика, который использует cookie.

Собранная при помощи cookie информация не может идентифицировать вас, однако может помочь нам улучшить работу нашего сайта. Вы можете отказаться от использования cookies, выбрав соответствующие настройки в браузере. Также Вы можете запретить сбор данных с помощью расширения для браузера «Блокировщик Яндекс Метрики». Используя этот сайт, вы соглашаетесь на обработку персональных данных.